Memória RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB/ DDR5/ 5600MHz/ 1.1V/ CL46/ SODIMM

Memória estável e escalável para diversos sistemas informáticos.

A memória DDR da Samsung oferece o desempenho, a capacidade e a fiabilidade necessários para alimentar diversos ambientes informáticos. Desde os exigentes requisitos térmicos e de durabilidade dos sistemas industriais até às rigorosas exigências de desempenho das infraestruturas empresariais, as nossas soluções são concebidas para cumprir os padrões mais exigentes do setor. A família DDR permite um processamento de dados fluido, um funcionamento fiável e configurações escaláveis que mantêm um desempenho estável à medida que as cargas de trabalho aumentam rapidamente.

DDR5

A memória DDR5 da Samsung oferece velocidades por pino de até 8000 Mbps e suporta densidades de até 32 Gb, o que garante uma maior integridade do sinal e um funcionamento estável graças à correção de erros (ECC) integrada. Com empilhamento baseado em TSV e uma arquitetura de subcanal duplo de 32 bits, está otimizada para serviços na nuvem com uso intensivo de dados, computação de alto desempenho e cargas de trabalho empresariais em grande escala.

SODIMM

DIMM de perfil reduzido

Samsung SODIMM oferece um formato compacto e de tamanho reduzido, concebido para portáteis, mini-PC e sistemas embutidos onde o espaço na placa é limitado. Graças à sua sinalização eficiente e às suas configurações flexíveis de rank simples ou duplo, SODIMM proporciona um desempenho de memória estável em designs com espaço reduzido.

Especificações

Memória

Capacidade: 8 GB (1 x 8 GB)

Tipo de memória: DDR5

Velocidade: 5600 MT/s

Classificação PC: PC5-5600B

Latência CAS: CL46

Organização: 1R x16, Single Rank

Formato: SO-DIMM de 262 pinos

Voltagem: 1,1 V

Tipo de módulo: Sem buffer

ECC: Não compatível